半导体
集成湿化学工艺的垫金属化，铜柱，RDL，通孔和双大马士革
快速的事实
- 电化学沉积工艺及设备解决方案
- RDL电镀工艺, 通过, 下一代先进包装的支柱和焊料应用
- 电镀金属和RDL外壳的化学沉积工艺，例如.g.，在功率半导体应用
- 电化学溶液双大马士革电镀最新的互连技术
- 德国最先进的制造基地
应用程序
- ENEPIG用于电源芯片和存储器的衬垫金属化
- 用于FOWLP和FC-CSP的RDL， μ通孔和支柱电镀
- 用于传感器和3D堆叠的μ -via和通过硅电镀
- 用于电源芯片的双面金属化.g.， igbt, mosfet…
- 互连金属化逻辑，内存和功率ic
产品组合
先进的封装- RDL和μ - via电镀
FOWLP和FC-CSP等最新的包装技术需要针对不同结构的各种电镀解决方案. 细线RDL允许平面内的电气扩展，因此对于实现异构集成至关重要.
- Spherolyte®铜UF3:高纯铜工艺用于RDL的沉积 & 可靠性最高的μ -via.
- Promobond®AP2:下一代包装的粘合促进剂.
高级包装。支柱电镀和焊接
FOWLP和FC-CSP等最新的包装技术需要针对不同结构的各种电镀解决方案. 支柱和焊点用于接口互连，因此对于实现异构集成至关重要.
- Spherolyte®Cu UF 5:高速镀铜柱工艺，均匀性好, 高纯度，完全形状控制.
- Spherolyte®倪:全液工艺进行有效镀镍阻挡层.
- Spherolyte®障碍:用于焊接应用的高度均匀和可靠的锡银工艺.
- Spherolyte®Sn:用于高度均匀、纯锡堆焊的工艺.
ENEPIG电镀-衬垫金属化和RDL外壳
焊丝粘接和焊接通常需要凹凸金属化(UBM)，以实现高度可靠的接头形成. 我们的Xenolyte®产品套件允许硬沉积, 任何腐蚀, 和应力最小化的金属堆栈，以保护底层的活动结构，并提供一个坚固的, 稳定的, 和低阻焊点连接到IC基板.
- Xenolyte®倪:中低钯、高温化学镀镍工艺.
- Xenolyte®Pd:化学沉积工艺制备纯度高、可靠性高的钯.
- Xenolyte®盟:无氰、含氰浸渍和自催化金工艺.
互连金属化解决方案的逻辑，内存和功率ic
下一代互连技术要求湿法金属化工艺的极端性能，与铜大马士革BEOL互连的极薄种子层兼容，并能够为铜和钴互连提供无空隙填充板前开口.
Everplate®2 xt:高性能添加剂套件，可填充先进的大马士革铜技术节点.
用于电源芯片的双面金属化.g. IGBT、mosfet...
现代的igbt和功率mosfet需要在晶圆的两面进行金属化. 在晶圆加工过程中，先正面再背面依次电镀的标准方法经常与应力和翘曲问题作斗争. 需要在电源组件中嵌入晶圆芯片的薄晶圆尤其容易产生这种效应. 我们需要的是在晶圆加工过程中有效地减少应力和翘曲.
多平台® + Spherolyte®MD2:电镀设备液和电解沉积铜工艺，同时双面镀铜，减少工艺流量.
主打产品
MKS的梅高美集团半导体电镀解决方案
我们为先进的封装和功率半导体应用提供市场领先的解决方案.
这个影像视频给了我们一些印象 Spherolyte® 而且 Xenolyte® 工艺解决方案，使我们的客户能够生产最先进的和下一代半导体器件.
高纯化学生产
半导体制造业
我们根据最新和最严格的半导体行业要求生产高纯化学产品. 我们的1,500平方米的制造设施位于德国柏林附近，配备了高度自动化的制造设备和封闭的生产环境，以确保效率, 安全, 生产环保可靠.
“我们不断努力为半导体行业提供一流的金属化解决方案. 这使我们成为下一代技术开发的宝贵合作伙伴.”
Dr. 基督教Ohde
德国安特克半导体先进封装产品全球产品总监
